今天高通公司宣布将与三星电子合作共同开发下一代骁龙835处理器，最大特色是采用三星10纳米制程工艺打造，同时支持Quick Charge 4.0快充技术。

高通方面表示，由于采用全新的10纳米制程工艺，骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而提升移动设备的用户体验。

据悉，今年10月份，三星就率先公布了10纳米工艺的量产，与上代14纳米工艺相比，10纳米可以减少30%的芯片尺寸，同时提升27%的性能以及降低40%的功耗。

借助10纳米工艺制程，高通骁龙835处理器具备更小的SoC尺寸，让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构，比如增加电池或是实现更轻薄的设计**。此外，制程工艺的提升也会改善电池续航能力。

目前骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835处理器的设备将会在2017年上半年陆续出货。

除了骁龙835处理器之外，高通还正式发布了全新的Quick Charge 4.0快充技术，支持骁龙835处理器。QC 4.0将会在前几代方案的基础上继续提升充电效率，官方称充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，充电效率比之前增加30%。此外QC 4.0还集成了对USB-C的支持，适配范围更广泛。