根据报道，台积电在2nm制程节点上取得了重大突破，将在生产中首次引入Gate-all-around FETsGAAFET晶体管技术。

此外，N2工艺还结合了NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。相比于目前的N3E工艺，N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升，或在相同频率下将功耗降低25%至30%。更为令人在意的是，晶体管密度将提升15%，这标志着台积电在半导体技术领域的又一次飞跃。

报道中称，台积电在2nm工艺将继续涨价，每片晶圆超3万美元、达4/5nm两倍。